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Dytran美國阻抗頭5860B型是IEPE阻抗頭，由100 mV / lbf力傳感器和100 mV / g加速度計(jì)組成，設(shè)計(jì)用于同時(shí)測量驅(qū)動(dòng)力和在施加到測試物品上的力點(diǎn)處的合成加速度。

Dytran美國阻抗頭5860B型產(chǎn)品特點(diǎn)：對象的電動(dòng)振動(dòng)器來振動(dòng)結(jié)構(gòu)。然后可以在各種感興趣的頻率上地測量驅(qū)動(dòng)點(diǎn)阻抗。然后可以將來自阻抗頭的輸出信號饋送到頻譜分析儀，并且可以使用適當(dāng)?shù)能浖碛?jì)算動(dòng)態(tài)阻抗函數(shù)。動(dòng)態(tài)阻抗設(shè)計(jì)為力/速度。力直接從5860B讀出，加速度計(jì)信號的單一積分產(chǎn)生速度。通過適當(dāng)編程的頻譜分析儀進(jìn)行計(jì)算，并以圖形方式顯示動(dòng)態(tài)阻抗函數(shù)。
特征：不銹鋼，IEPE，同時(shí)測量力和加速度
應(yīng)用：模態(tài)和結(jié)構(gòu)分析

規(guī)格：100 mV / g靈敏度 - 加速度，100 mV / lbf靈敏度 - 力，兩個(gè)10-32徑向連接器，10-32螺紋孔，60克，-100至+ 250°F運(yùn)行

Dytran壓電傳感器（傳感器）測量動(dòng)態(tài)現(xiàn)象，如力，壓力和加速度（包括沖擊和振動(dòng)）。在傳感器內(nèi)部，諸如石英和人造陶瓷的壓電材料通過輸入被測量，即要測量的特定現(xiàn)象以受控方式受到應(yīng)力。該應(yīng)力與壓電材料“擠壓”一定量的電荷，與輸入成正比，產(chǎn)生類似的電輸出信號。（“Piezo”來自希臘語，意為“擠壓”。）

Dytran低阻抗電壓模式（LIVM）傳感器是具有集成FET阻抗轉(zhuǎn)換放大器的壓電器件。為了偏置放大器，將高值電阻器與FET的柵極和晶體元件并聯(lián)放置。傳感器的放電時(shí)間常數(shù)（TC）是該電阻器與晶體元件的總并聯(lián)電容的乘積。（見圖1）。放電時(shí)間常數(shù)設(shè)定傳感器的低頻幅度和相位響應(yīng)。本文介紹了作為頻率函數(shù)的相位響應(yīng)的數(shù)學(xué)關(guān)系，其中放電時(shí)間常數(shù)作為參數(shù)。

Dytran動(dòng)態(tài)壓力傳感器設(shè)計(jì)用于測量液體和氣體中的壓力變化，例如沖擊管研究，缸內(nèi)壓力測量，現(xiàn)場爆破測試，壓力泵擾動(dòng)以及其他氣動(dòng)和液壓過程。它們的高剛性和小尺寸使其具有出色的高頻響應(yīng)和快速上升時(shí)間能力。加速補(bǔ)償使它們幾乎不響應(yīng)機(jī)械運(yùn)動(dòng)，即沖擊和振動(dòng)。

Dytran低阻抗電壓模式（LIVM）力傳感器包含薄的壓電晶體，可響應(yīng)施加的動(dòng)態(tài)力產(chǎn)生模擬電壓信號。內(nèi)置IC芯片放大器將晶體產(chǎn)生的高阻抗信號轉(zhuǎn)換為低阻抗電壓，適合方便地耦合到讀出儀器。（請參閱本手冊中的“LIVM加速度計(jì)簡介”和“電流源功率單元簡介”，以深入討論LIVM原理。）